Bab 9a JFET dan Prategangan

24 slides
1.2 MB
677 views

Similar Presentations

Presentation Transcript

1

Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & PrateganganBy : M. Ramdhani

2

Perbedaan FET dan BJTBJT  Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole) FET  Unipolar device (satu carrier : elektron / kanal n atau hole / kanal p)

3

Struktur FET

4

JFET kanal n

5

JFET kanal n

6

Jika G-S tidak diberikan bias (VGS=0) maka deplesi hanya pada sambungan PN saja masih ada celah kanal n maka dengan hanya memberikan D-S tegangan kecil (VDS kecil) maka arus drain (ID) mengalir Jika VDS dinaikkan terus saat VGS=0, maka VDS= VDG dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal membesar akan didapatkan ID konstan. Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh daerah deplesi pada daerah sekitar Drain, yang nilainya sama dengan bias balik VDG= - VP

7

Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah bentuk saluran ID tetap konstan pada nilainya yang dicapai saat VDS= - VP Jika VGS dinaikkan maka deplesi semakin melebar dan suatu saat didapatkan arus drain sama dengan nol dan saat itulah dikatakan VGS=Vp  tegangan pinch off

8

Kurva karakteristik Drain

9

Kurva karakteristik DrainDaerah Ohmic/ trioda

10

Kurva karakteristik DrainDaerah aktif/pinch off/saturasi

11

Daerah Ohmic/Trioda

12

Daerah Aktif/ Pinch Off

13

Kurva Transfer

14

JFET Kanal p

15

JFET kanal p

16

Prategangan JFET Input ac diganti tahanan dalam Kapasitor open circuit

17

Konfigurasi Prategangan Tetap

18

Konfigurasi Prategangan Tetap

19
20

Konfigurasi Prategangan Sendiri

21

Konfigurasi Prategangan Sendiri

22
23

Konfigurasi Pembagi Tegangan

24

Konfigurasi Pembagi Tegangan

Browse More Presentations

Last Updated: 8th March 2018

Recommended PPTs