Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)

23 slides
1.11 MB
703 views

Similar Presentations

Presentation Transcript

1

Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)By : M. Ramdhani

2

Tujuan Instruksional :Mengenal struktur fisik BJT Memahami hubungan antar-arus dan antar-tegangan BJT Mengenal daerah operasi transistor

3
4

Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikan penguatan yang jauh lebih besar Tanggapan frekuensi yang lebih lebar. Pada BJT baik pembawa muatan mayoritas maupun pembawa muatan minoritas mempunyai peranan yang sama pentingnya

5

Transistor BJT adalah piranti semikonduktor tiga terminal yang dibangun dari : • dua material tipe P dan satu material tipe N  PNP • dua material tipe N dan satu material tipe P  NPN Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). Doping rendah ini mengurangi konduktivitas material dengan membatasi jumlah elektron bebas. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan hole berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus.

6

PNP

7

Forward bias pada junction emitter-basis menyebabkan sejumlah besar pembawa muatan mayoritas (hole) pada materi tipe P (emitter) terdifusi melewati junction menuju materi tipe N (basis). Karena elektron bebas pada materi tipe N (basis) lebih sedikit dari hole yang terdifusi (N di-doping rendah), hanya sedikit hole yang ber-kombinasi dengan elektron dan menghasilkan arus pada basis. Sebagian besar hole akan bergerak melewati depletion region pada junction basis-collector (diberi reverse bias) dan keluar pada terminal collector.

8

Arus Emitter

9

Operasi Kerja PNP

10

NPN

11

Operasi Kerja NPN

12

Struktur Fisik

13

SimbolPNPNPN

14

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter. Bagian penting berikutnya adalah bagaimana caranya memberi arus bias yang tepat sehingga transistor dapat bekerja optimal. Ada tiga cara yang umum untuk memberi arus bias pada transistor, yaitu rangkaian CB (Common Base) , CE (Common Emitter), CC (Common Collector)

15

Konfigurasi CB (Common Base)

16

Karakteristik CB (NPN)iE terhadap vBE

17

iC terhadap vCB

18

Daerah aktif adalah daerah dimana penguatan linear terjadi, dalam daerah aktif, junction emitter-collector di bias mundur sedangkan junction basis-emitter di bias maju. Daerah cut-off didefinisikan sebagai daerah dimana arus IC = 0 A, atau Daerah cut-off terjadi jika junction emitter-collector dan junction basis-emitter di bias mundur. Daerah saturasi adalah daerah dimana nilai tegangan VCB negatif, Daerah saturasi adalah daerah dimana junction emitter-collector dan junction basis-emitter di bias maju.

19

Konfigurasi CE (Common Emitter)

20

Karakteristik CEiB terhadap VBE

21
22

Konfigurasi CC (Common Collector)

23

Konfigurasi Common Collector umumnya dipakai sebagai rangkaian penyesuai impedansi karena mempunyai impedansi input yang tinggi dan impedansi output rendah, Karakteristik input konfigurasi CC adalah sama dengan karakteristik pada konfigurasi CE. Karakteristik output adalah plot antara IE dengan VEC untuk nilai-nilai IB, dengan bentuk kurva yang sama seperti karakteristik output CE.

Browse More Presentations

Last Updated: 8th March 2018

Recommended PPTs